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離子研磨儀在半導體失效分析中的應用案例分享

 更新時間:2022-03-09 點擊量:1503

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失效分析是對于電子元件失效原因進行診斷,在進行失效分析的過程中,往往需要借助儀器設備,以及化學類手段進行分析,以確認失效模式,判斷失效原因,研究失效機理,提出改善預防措施。其方法可以分為有損分析,無損分析,物理分析,化學分析等。其中在進行微觀形貌檢測的時候,尤其是需要觀察斷面或者內(nèi)部結構時,需要用到離子研磨儀+掃描電鏡結合法,來進行失效分析研究。

 

離子研磨儀目前是普遍使用的制樣工具,可以進行不同角度的剖面切削以及表面的拋光和清潔處理,以制備出適合半導體故障分析的 SEM 用樣品。

 

截屏2022-03-04 上午10.05.29.png

 

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離子研磨儀的基本原理

 

案例分享 1:晶片失效分析思路和方法

 

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1. 優(yōu)先判斷失效的位置

 

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2. 鎖定失效分析位置后,決定進行離子研磨儀進行切割


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3. 離子研磨儀中進行切割


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4. 切割后的樣品,放大觀察

 

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5. 放大后發(fā)現(xiàn)故障位置左右不對稱

 

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6. 進一步放大后,發(fā)現(xiàn)故障位置擠壓變形,開裂,是造成失效的主要原因

 

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7. 變形開裂位置(放大倍數(shù):20,000x)

 

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8. 變形開裂位置(放大倍數(shù):40,000x)

 

案例分享 2:IC 封裝測試失效分析

 

IMG_1067.PNG linda.png

                                        1. 對失效位置進行切割                              2. 離子研磨儀中進行切割

 

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3. 位置1. 放大后發(fā)現(xiàn)此處未連接。放大倍數(shù):30,000x

 

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4. 位置2. 放大后發(fā)現(xiàn)此處開裂。放大倍數(shù):50,000x

 

案例分享 3:PCB / PCBA 失效分析

 

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TECNOORG LINDA SC-2100

 

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· 適用于離子束剖面切削、表面拋光

· 可預設不同切削角度制備橫截面樣品

· 可用于樣品拋光或最終階段的細拋和清潔

· 超高能量離子槍用于快速拋光

· 低能量離子槍適用后處理的表面無損細拋和清潔

· 操作簡單,嵌入式計算機系統(tǒng),全自動設定操作

· 冷卻系統(tǒng)標準化,應用于多種類樣本

· 高分辨率彩色相機實現(xiàn)實時監(jiān)控拋光過程

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